第227章 小芯ai辅助排查121个工

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赵静盯着屏幕上不断滚动的数字，眉头紧锁。

在她的左侧屏幕上，小芯ai正在运行「工艺缺陷主动学习模型」的宸。

二十分钟后，章宸带着两名资深布局工程师赶到会议室。

「热间距约束……」章宸听完描述，眉头紧锁，「如果增加这个约束，晶片面积可能会增加5-8，性能也会受影响。

而且需要重新进行全流程设计验证，至少两个月。

」「但如果不改，良率永远上不去。

」张京京坚持。

「也许有折中方案。

」赵静插话，「ai模拟了七种不同的金属线走向调整方案，在不增加总面积的情况下，可以将局部热点温度降低8-10摄氏度，电迁移寿命延长三倍以上。

虽然不能完全解决问题，但可以将其从『致命缺陷』降级为『可接受风险』，等下一代晶片再彻底解决。

」她展示了优化后的布局图：只是微调了几条金属线的走向和宽度，避开了最危险的热耦合区域。

章宸和布局工程师们围在屏幕前，快速评估。

十分钟后，章宸抬起头：「这个方案可行。

改动很小，只需要修改三个金属层，验证周期可以压缩到两周内。

但我们需要ai给出精确的版图修改指令。

」「小芯可以生成gdsii格式的修改文件。

」赵静说，「但需要布局工程师确认，确保没有引入新的设计规则违反。

」「成交。

」章宸伸出手，「你们解决物理问题，我们解决设计问题。

两周后，新版图纸到位。

」第83号缺陷，找到了解决路径。

一周过去，联合诊断组的作战室里，墙上的进度图已经发生了显着变化。

121个缺陷点中：已关闭：19个已找到解决方案，正在实施：37个正在排查中：42个尚未启动：23个「已经解决了56个，接近一半。

」张京京在每日晨会上汇报，「按照这个速度，再有十天，大部分缺陷都能找到方向。

但问题是……」他调出尚未启动的23个缺陷列表：「这些都是硬骨头。

要麽需要昂贵的实验验证，要麽涉及根本性的工艺变革，要麽……我们连问题到底出在哪里都不知道。

」比如第112号缺陷：电晶体阈值电压随晶圆位置系统性漂移。

同一个晶圆上，边缘区域的电晶体阈值电压比中心区域高8-12毫伏，导致晶片性能不均匀。

「我们排查了所有可能的工艺偏差：光刻曝光均匀性丶离子注入角度丶退火温度梯度……」负责电晶体工艺的梁志远博士摇头，「所有参数都在规格范围内，但最终的电性参数就是有系统性差异。

就像有一个看不见的手，在晶圆上画了一个渐变场。

」林薇一直在旁听，此刻突然开口：「也许问题不在制造过程，而在衬底本身。

」「衬底？高纯矽片是我们自己制备的，检测数据完美。

」梁志远说。

「检测的是宏观参数：纯度丶晶向丶缺陷密度。

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